双极连接晶体管是电流控制装置。在该晶体管主要是基电流控制装置的操作。在BJT中，少数民族和多数载体都参与了该行动。另一方面，连接场效应晶体管是电压控制装置，并且只有多数载波在操作中参与其中。在进入接合场效果晶体管的基本工作原理之前，我们首先审查了该设备的基本结构，因为它有助于我们了解此事。
在相反类型的半导体之间产生了p型或n型半导体通道。这意味着如果通道是p型的，那么周围就是n型的，如果通道是n型的，那么周围就是p型的。根据在通道中使用的半导体类型，有两种类型的结场效应晶体管即n通道JFET和p通道JFET。
为了了解接合场效果晶体管的基本工作原理，我们在此处占据N个通道JFET，尽管P通道JFET的工作与N通道FET的工作相同。
连接n通道一端的端子称为漏极，连接n通道另一端的端子称为源极。金属终端连接到对型半导体材料(这里是p型)通道周围的层被称为栅极终端。
现在让我们用这三个端子连接外部电路。在这里，我们将电压源电路的正极连接到晶体管的漏极。电压源的负端将被接地。如图所示，栅极端子也连接到地面。
在这种情况下，n通道比门区获得更高的电位，因此p型门区和n型通道区之间的结将处于反向偏置状态。结果，该结的耗尽层变厚，显然，耗尽层的厚度取决于这两个区域的电压差。
现在，如果我们查看频道，我们会看到频道向排水终端的电位远远超过源终端。因为在漏极端子处连接的电压源的正端子接地。由于沿着通道的电压分布，接线部分接近漏极的部分比结的下部更靠近漏极。结果，更靠近漏极的耗尽层的宽度将大于下部。在该状态载波（这里，在N沟道多数载体中的条件流动通过所述沟道和源极之间的施加电场连续地通过所述通道连续。如果我们慢慢地增加漏极电压，则通过场效应晶体管通道的电流线性增加。然而，这种线性度在特定的漏极电压之后不会继续。该电压称为夹紧电压。当我们增加漏极电压时，通道到栅极电压差也增加。然而，这种差异更加朝向排水终端。 Hence depletion layer towards drain terminal get thicker faster than that towards source terminal. At the pinch-off voltage, the depletion layers touch each other and theoretically blocks the channel. So theoretically drain current that is current through the channel becomes zero but practically the current would not be zero rather it gets a constant value.
因为一旦漏极电流为零，通道内就不会出现电压降，因此结的反向偏置消失，此时漏极电流开始流动，电压降再次建立。由于这一现象，耗尽层永远不会接触，总是会有一个狭窄的通道来促进漏极电流的流动。
尽管漏极电压增加超过夹紧值，但耗尽层越来越接近。结果，通道的电阻比例地增加，这使得漏极电流几乎恒定。
现在我们将漏极电压固定在一定的水平，并在栅极端施加一个负电压，慢慢增加栅极的负电压，让我们看看会发生什么。如果将栅极负端电压从零增加到某个负值，则通道和栅极区域之间的电压差增加，从而增加耗尽层的宽度。因此，在固定漏极电压的情况下，漏极电流也会因此减小。
因此，我们现在清楚了如何通过控制栅极电压来控制漏极电流。希望你对结场效应晶体管的基本工作原理有所了解。
