SCR或晶闸管的两个晶体管模型GydF4y2Ba

SCR的基本工作原理，可以容易地理解GydF4y2BaSCR的两个晶体管模型GydF4y2Ba，因为它是p和n层的组合。GydF4y2Ba

这是一个pnpn晶闸管。如果我们通过虚线分开它，那么我们将获得两个晶体管，即用J.一个PNP晶体管GydF4y2Ba_1GydF4y2Ba和J.GydF4y2Ba_2GydF4y2Ba连接和另一个是jGydF4y2Ba_2GydF4y2Ba和J.GydF4y2Ba_3.GydF4y2Ba连接点如下图所示。GydF4y2Ba

收集电流和发射极电流之间的关系如下所示GydF4y2Ba

我在这GydF4y2Ba_CGydF4y2Ba收集器电流，我GydF4y2Ba_E.GydF4y2Ba是发射极限，我GydF4y2Ba_{CBO.GydF4y2Ba}正向漏电流，α是常见的基本前进电流增益和I之间的关系GydF4y2Ba_CGydF4y2Ba和我GydF4y2Ba_B.GydF4y2Ba是GydF4y2Ba

在哪里，我GydF4y2Ba_B.GydF4y2Ba基极电流和β是常见的发射器正向电流增益。GydF4y2Ba
让我们来说是晶体管GydF4y2Ba_1GydF4y2Ba这一关系持有GydF4y2Ba

并且对于晶体管tGydF4y2Ba_2GydF4y2Ba

现在，通过分析两个晶体管模型，我们可以获得阳极电流，GydF4y2Ba

从等式（i）和（ii），我们得到，GydF4y2Ba

如果应用门电流是iGydF4y2Ba_GGydF4y2Ba然后阴极电流将是阳极电流和栅极电流的求和。GydF4y2Ba

通过代替我的这个卑鄙GydF4y2Ba_K.GydF4y2Ba在（iii）中我们得到了，GydF4y2Ba

从这一关系中，我们可以保证随着增加的价值GydF4y2Ba为了统一，相应的阳极电流将增加。现在问题是如何GydF4y2Ba越来越多？这是使用解释GydF4y2BaSCR的两个晶体管模型GydF4y2Ba。GydF4y2Ba
在我们应用门电流时的第一阶段GydF4y2Ba_GGydF4y2Ba，它充当了t的基础电流GydF4y2Ba_2GydF4y2Ba晶体管I.E.I.GydF4y2Ba_B2GydF4y2Ba= I.GydF4y2Ba_GGydF4y2Ba和t的发射极限GydF4y2Ba_2GydF4y2Ba晶体管I.GydF4y2Ba_E2.GydF4y2Ba= I.GydF4y2Ba_K.GydF4y2Ba。因此，建立发射极电流会产生αGydF4y2Ba_2GydF4y2Ba作为GydF4y2Ba

基本电流的存在将产生收集器电流为GydF4y2Ba

这是我GydF4y2Ba_C2.GydF4y2Ba只不过是基本的我GydF4y2Ba_B1.GydF4y2Ba晶体管T.GydF4y2Ba_1GydF4y2Ba，这将导致收集器电流的流动，GydF4y2Ba

一世GydF4y2Ba_C1.GydF4y2Ba和我GydF4y2Ba_B1.GydF4y2Ba导致我增加GydF4y2Ba_C1.GydF4y2Ba作为GydF4y2Ba因此，αGydF4y2Ba_1GydF4y2Ba增加。现在，T的新基本电流GydF4y2Ba_2GydF4y2Ba是GydF4y2Ba，这将导致发射极限GydF4y2Ba并且结果αGydF4y2Ba_2GydF4y2Ba也增加，这进一步增加了GydF4y2Ba。GydF4y2Ba
作为GydF4y2Ba，αGydF4y2Ba_1GydF4y2Ba再次增加。这种连续的正反馈效果增加GydF4y2Ba朝向团结和阳极电流趋于以非常大的值流动。那么值电流只能由外部控制GydF4y2Ba抵抗性GydF4y2Ba电路。GydF4y2Ba