主要有两个晶体管的类型-
- 结晶体管
- 点晶体管。
由于尺寸小，粗糙度小，主要使用结晶体管。它们有两种类型 - PNP和NPN晶体管（图1）。
这些晶体管通常通过五种基本技术制造，如下所示：
- 扩散技术
- 点联系技术
- 融合或合金技术
- 种植或生长的技术
- 外延技术
扩散技术
该技术用于创建平面晶体管。字形字形意味着晶体管的制造在几乎扁平的晶片平面上。这里;在包括p型气态杂质的炉中，将n型晶片加热至高温。结果，杂质（p型）逐渐扩散到晶片（n型）的表面中。因此，创建p型区域，其是晶体管的基极。然后，该系统由具有孔（孔）的掩模包围，并且通过气态N型杂质再次加热。结果，n型原子通过孔和n层扩散到作为晶体管的发射器的孔和n层被形成在p层上（图2）。
最后，在整个表面上显影了一层二氧化硅，并将照片冲压以为基础和发射器引线产生铝接触。
点联系技术
它包括一个n型半导体晶片，它的一侧焊接到金属基底，另一侧具有钨簧或磷青铜，称为猫的晶须丝，这对其硬质压制。整个布置封闭在玻璃或陶瓷包络中。这样做是为了确保机械强度。巨大当前的（200 ma）通过1-100毫秒的范围来创造PN结。由于晶须材料的扩散和硅表面熔化到接触点的表面中，在那里产生PN结（图3）。由于价值很小电容在点接触结处，这些连接点对于高频工作非常有助于（10 GHz）。
融合或合金技术
在该方法中，两个微小的铟或铝（受体）位于N型晶片的相对侧。然后将整个系统加热至大约小于晶片材料熔点的温度，大于受体的温度。
一部分铟溶解并进入晶片，因此在晶片的两侧产生p型材料。在冷却时产生PNP晶体管（图4）。
种植或生长的技术
在该技术中，从包括p型杂质的Ge或Si的熔体中汲取单晶。Czochralski技术或浮动技术用于此目的。这里是czochralski技术，单一半导体种子浸没在熔融半导体中，该熔融半导体是石墨坩埚。之后，它慢慢撤回，当时，保持种子的杆逐渐旋转。首先，添加p型杂质，然后改变为n型。因此，PN结生长。使用的装置如下所示。
外延技术
这个名字来自希腊语“epi”和'出租车' - 'epi'手段和“出租车”意味着安排。在这里，一个非常瘦n型半导体或者P型半导体层可以在具有相同半导体的高掺杂材料（基板）上生长层（图6）。形成的层可以是三个（碱基，发射器或收集器中的任何一种。由此产生的交界处具有较低抵抗性。
