晶体管特性这些情节代表的是当前的和电压的晶体管在特定的配置中。考虑到晶体管结构电路类似于双端口网络，可以使用下列类型的特征曲线来分析它们
- 输入特征:这些描述了在保持输出电压不变的情况下，输入电流随输入电压值的变化。
- 输出特征:这是输入电流恒定时输出电流与输出电压的关系图。
- 当前的传输特点:此特性曲线表示输出电流随输入电流的变化，输出电压保持不变。
晶体管的共基极(CB)配置
在CB配置中，晶体管的基端在输入端和输出端之间是公用的，如图1所示。这种配置提供低输入阻抗，高输出阻抗，高电阻增益和高电压增益。
晶体管CB配置的输入特性
下面的图2显示了CB配置电路的输入特性，描述了发射极电流的变化，IE基极-发射极电压V是保持集电极-基极电压VCB常数。
这导致输入电阻的表达式为
晶体管CB配置的输出特性
CB配置的输出特性(图3)显示了集电极电流IC与VCB当发射极电流时，IE是保持不变的。由图可知，输出电阻为:
晶体管CB结构的电流转移特性
下面的图4显示了CB配置的电流传递特性，说明了I的变化C与我E保持VCB是一个常数。得到的电流增益值小于1，数学表达式为:
晶体管的共同集电极(CC)配置
这种晶体管配置具有晶体管的集电极端子之间的共同输入和输出端子(图5)，也称为发射极跟随器配置。这提供了高输入阻抗，低输出阻抗，电压增益小于1和大的电流增益。
晶体管CC配置的输入特性
图6显示了CC配置的输入特性，描述了I的变化B根据VCB，对于恒定值的集电极-发射极电压，VCE．
晶体管CC配置的输出特性
下面的图7显示了CC配置的输出特征，其中显示了I中的变化E来对抗V的变化CE对于I的常值B．
晶体管CC组态的电流传递特性
CC配置的这个特征(图8)显示了I的变化E和我B保持VCE是一个常数。
晶体管共发射极(CE)配置
在这种配置中，发射极端子在输入端和输出端之间是公用的，如图9所示。这种配置提供了中等输入阻抗，中等输出阻抗，中等电流增益和电压增益。
晶体管CE配置的输入特性
图10显示了晶体管的CE配置的输入特性，说明了I的变化B根据V是当VCE是保持不变的。
由上图10所示，可以得到晶体管的输入电阻为
晶体管CE配置的输出特性
CE配置的输出特性(图11)也称为收集器特性。这幅图显示了I的变化CV的变化CE当我B是保持不变的。由图可知，输出电阻为:
晶体管CE结构的电流传递特性
CE配置的这一特性表明了I的变化C和我B保持VCE是一个常数。这在数学上可以由
这个比值被称为共射极电流增益，并且总是大于1。
最后，需要注意的是，虽然所解释的特征曲线是为以下是，同样的分析也适用于场效应晶体管．
