晶体管是一个半导体器件有三个端子，即发射极(E)、基极(B)和集电极(C)，因此有两个结，即基极发射极(BE)结和基极集电极(BC)结，如图1a所示。这种装置可以在3个不同的区域工作，即截止、有源和饱和。晶体管在截止区是全关，在饱和区是全开。
然而，当它们在有源区域工作时，它们作为放大器，即它们可以用来增加输入信号的强度而不显著地改变它。这种行为背后的原因可以通过分析晶体管的工作原理来理解航空公司收取．为此，让我们考虑一个npn双极结型晶体管(BJT)偏置在有源区工作(BE结正向偏置，BC结反向偏置)如图1b所示。
这里，一般情况下，发射极将被重掺杂，基极将被轻掺杂，集电极将被中等掺杂。进一步，基极会变窄，发射极会变宽，集电极会更宽。
施加在晶体管基极和发射极之间的正向偏置导致基极流动当前的,我B进入基地区域。但它的大小较小(通常用μA表示V是一般情况下约为0.6 V)。
在等效意义上，这可以看作是电子离开基部的运动或空穴注入基部。此外，这些注入的空穴将发射区域的电子吸引过来，导致空穴和电子的复合。
但由于基极相对于发射极的掺杂较少，因此相对于空穴，电子数量较多。因此，即使在复合效应之后，仍会有更多的电子被释放出来。这些电子现在穿过狭窄的基区，并向集电极终端移动，受到集电极和基区之间施加的偏置的影响。
这只是集电极电流IC进入收集器。由此可以看出，通过改变流入基部的电流(IB)时，可以得到集电极电流I的很大变化C．这只不过是电流放大，由此得出结论npn型晶体管在有源区工作的电流放大器。相关的电流增益可以用数学表示为
现在考虑npn晶体管，输入信号应用于基极和发射极之间，而输出信号被收集到负载上电阻器RC，连接在集电极和基端，如图2所示。
现在考虑npn晶体管，其输入信号应用于基极和发射极之间，而输出被通过负载电阻RC收集，通过集电极和基极连接，如图2所示。
进一步注意，晶体管总是确保工作在其有源区通过适当的使用电压供应,VEE和V公元前．这里输入电压V有一个小的变化在可以看到改变发射极电流IE明显的电阻输入电路的低(由于正向偏置条件)。
这反过来改变了几乎在相同范围内的集电极电流，因为事实上，基极电流的大小是相当少的情况下考虑。I的这个大变化C导致一个大电压降在加载电阻器RC也就是输出电压。
因此，人们得到了放大版本的输入电压通过设备的输出端子，从而得出结论，电路的作用就像电压放大器。给出了与此现象相关的电压增益的数学表达式
虽然所提供的解释是针对npn BJT的，但类似的类比也适用于pnp BJT。根据同样的理由，我们可以解释其他种类的晶体管的放大作用，即:场效应晶体管(场效应晶体管)。此外，需要注意的是，在晶体管之类的放大电路中存在着许多变化
- 第一组:公共基/门配置，公共发射极/源配置，公共集电极/漏极配置
- 第二组:A类放大器，B类放大器，C类放大器，AB类放大器
- 第三组:单级放大器，多级放大器，等等。然而，基本的工作原则是不变的。
