功率MOSFET.是一种类型的Mosfet.这是特别意味着处理高水平的功率。这些表现出高的开关速度，并且可以在低电压水平的情况下与其他正常MOSFET进行比较好。然而，它的操作原理类似于任何其他一般MOSFET的原则。最广泛使用的功率MOSFET是N沟道增强 - 模式或P沟道增强模式或N沟道耗尽模式本质上。
此外，存在各种各样的功率MOSFET结构，如垂直扩散MOS（VDMOS）或双扩散MOS或DMOS，UMOS或TRENCH-MOS，VMOS等。图1显示了由N-衬底制成的N基板VDMOS和使用双扩散过程将P和N +区域嵌入到其中的n外延层。
这里，当栅极到源电压为正电压时，该通道形成在p型区域中。最重要的是，这里，源极终端放置在形成垂直结构的漏极（D）端子上。结果，在VDMOS中，电流在源极和漏极端子之间垂直地流过源极和漏极端子，通过众多N +源进行平行传导。结果，设备在其ON状态下提供的电阻DS（开）远低于正常MOSFET的情况，使它们能够处理高电流。这抵抗性该设备被视为加倍当前的增量约6％（图2a）。另一方面是rDS（开）受结温Tj（图2b）并且被认为是正的。
与此类似，我们甚至可以具有P衬底功率MOSFET.假设我们用p型材料代替n型材料，然后将其极性反转电压应用。然而，他们表现出更高的rDS（开）与N基板装置相比，它们使用孔作为其大多数电荷载体而不是电子。然而，这些优选用作降压转换器。
虽然正常的结构Mosfets.并且电源MOSFET被视为不同，其工作背后的基本原理保持不变。也就是说，在它们中的两个中，传导通道的形成是相同的，除了在栅极端子处施加的合适偏压导致反转层。
结果，由它们中的任何一个表现出的传递特性（图3a）和输出特性（图3b）几乎相同。
此外，应注意，在基于垂直结构的功率MOSFET的情况下，外延层的掺杂和厚度决定电压额定值，而沟道宽度决定其电流额定值。这是原因，因为它们可以维持高封闭电压和高电流，使其适用于低功率开关应用。然而，甚至存在横向结构的MOSFET，其表现得更好地与基于垂直结构的设计，特别是在饱和的操作区域中，能够在高端音频放大器中使用它们。其他功率MOSFET的优势这一事实是，由于它们的正向电压降随着温度的增加而增加，它们可以并联增加，这在其所有组件中确保了相同的电流分布。电源MOSFET.广泛用作电源的一部分，DC-DC转换器和低压电机控制器。
