PNP晶体管：它是如何工作的？（符号与工作原理）

什么是PNP晶体管

PNP晶体管是a双极结晶体管通过夹身构建n型半导体两者之间p型半导体。PNP晶体管具有三个端子 - 收集器（C），发射极（E）和碱（B）。PNP.晶体管表现为二PN结二极管背靠背连接。

这些回到了回到pn结二极管被称为集电器基结和基极发射极结。

关于PNP晶体管的三个端子，发射器是区域用于通过基部区域将电荷载波供应到收集器。收集器区域收集来自发射器发射的大多数所有电荷载波。基区域触发并控制电流量流过发射器到收集器。

PNP晶体管的等效电路如下图所示。

PNP晶体管符号和施工

PNP晶体管的构造与结构非常相似NPN晶体管。在NPN晶体管中，一个P型半导体用两个p型半导体夹着。在PNP晶体管中，一个n型半导体用两个p型半导体夹着。

PNP晶体管的结构如下图所示。

在p型半导体，大多数电荷载体是孔。因此，在PNP晶体管中，电流的形成是由于孔的运动。

中间层（n型层）称为基座端子（B）。左图型层用作发射极端子（e），右图型层用作收集器终端（c）。

与基碱（n型）层相比，发射器和收集器（p型）层非常掺杂。因此，两个连接处的耗尽区域更侧向基层渗透。与基层相比，发射器和集电极层的区域更加比较。

在n型半导体中，可提供大量的自由电子。但是，中间层的宽度非常小，并且很轻微掺杂。因此，基本区域中存在显着不太自由的电子。

PNP晶体管的符号如下图所示。箭头显示电流将通过发射器流到收集器。

PNP晶体管如何工作

A的正极端子电压源（V._EB.）与发射器（p型）连接，负端子与基站（n型）连接。因此，发射极限结在正向偏压中连接。

和电压源的正端子（V_CB.）与基站（n型）连接，负端子与集电极端子（P型）连接。因此，收集器基条连接在反向偏压中连接。

由于这种类型的偏置，发射极基结处的耗尽区是窄的，因为它在正向偏压中连接。虽然收集基部结处于反向偏见，因此收集器底部结处的耗尽区域宽。

发射极限结处于向前偏置。因此，来自发射器的非常大量的孔交叉耗尽区域并进入底座。同时，很少有电子从底座进入发射器并用孔重新组合。

发射器中的孔的损失等于基层中存在的电子数量。但是底座中的电子数量非常小，因为它是非常轻微的掺杂和薄区域。因此，几乎所有发射器的孔都会穿过耗尽区域并进入基层。

由于孔的运动，电流将流过发射极基结。该电流称为发射极电流（I_E.）。孔是多数电荷载体，以流发射极电流。

剩余的孔与基座中的电子重新结合，该孔将进一步向收集器进一步行进。收集器电流（i_C）由于孔而流过集电极基区域。

PNP晶体管电路

PNP晶体管的电路如下图所示。

如果我们将PNP晶体管的电路与NPN晶体管进行比较，那么这里的极性和电流方向是反转的。

如果PNP晶体管与电压源连接，如上图所示，则基电流将流过晶体管。少量碱基电流通过发射器通过发射器控制大量电流的流动，条件是基极电压比发射极电压更负。

如果基极电压不比发射极电压不大，则电流不能通过该装置流过。因此，有必要为反向偏置的电压源超过0.7V。

两个电阻R._L.和R._B.连接在电路中以限制通过晶体管的最大电流量。

如果你申请一个Kirchhoff的现行法律（kcl），发射极电流是基本电流和集电极电流的求和。

PNP晶体管开关

通常，当开关关闭时，电流不能流动并表现为开路。类似地，当开关接通时，电流将流过电路并充当闭合电路。

晶体管只需一种电源电子开关，即可以像普通开关一样工作。现在问题是我们如何使用PNP晶体管作为交换机？

正如我们在PNP晶体管的工作中所见，如果基极电压不比发射极电压不够负，则电流不能流过设备。因此，基准电压在反向偏压中最小为0.7V以传导晶体管。

这意味着，如果基极电压为零或小于0.7V，则电流不能流动并且它用作开路。

要打开晶体管，基准电压必须大于0.7 V.在这种情况下，晶体管用作紧密开关。

PNP VS NPN晶体管

比较PNP晶体管VS NPN晶体管的主要差异已经总结在下表中：