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什么是NPN晶体管
NPN晶体管是最常用的双极结型晶体管,它是由三明治构成的p型半导体在两个n型半导体.NPN晶体管有三个端-集电极、发射极和基极。的NPN型晶体管像两个PN结二极管背靠背连接。
这些是背对背的PN结二极管称为集电极-基极结和基极-发射极结。
对于NPN晶体管的三个端,发射极是一个用于通过基极向集电极提供载流子的区域。集电极区域收集从发射极发射的大多数所有载流子。基极区域触发并控制通过发射器到收集器的电流量。
NPN晶体管的等效电路如下图所示。
作为一个快速提醒,n型半导体是一个有大量的自由电子可用,它作为一个多数载流子。在…的影响下潜在的差异,电子获得足够的能量,从价带向导带移动。由于电子的运动,电流将流过n型半导体。
相反,在p型半导体中,电子是不可用的,空穴作为多数载流子。由于空穴的运动,电流将流经p型半导体。
NPN晶体管的构造
如上所述,NPN晶体管有两个结和三个端子。NPN晶体管的结构如下图所示。
发射极和集电极层比基极更宽。发射极掺杂重。因此,它可以向基地注入大量的载流子。
与其他两个区域相比,这个碱基掺杂很轻,而且很薄。它将所有的载流子传递给由发射极发射的集电极。
集电极适度掺杂,并从基底层收集载流子。
NPN型晶体管的象征
NPN晶体管的符号如下图所示。箭头表示集电极电流的常规方向(IC)、基极电流(IB)和发射极电流(IE).
NPN晶体管是如何工作的
基-发射极结连接在正向偏压条件通过电源电压VEE.所述集电极-基极结连接于反向偏压条件按电源电压VCC.
在正向偏置条件下,电源的负端(VEE)连接到n型半导体(发射器)。同样,在反向偏置条件下,电源的正端(VCC)连接到n型半导体(集电极)。
与集电极-基极结的耗尽区相比,发射极-基极区耗尽区是薄的(注意,耗尽区是一个没有移动载流子存在的区域,它像一个阻挡电流的屏障)。
在n型发射极中,载流子主要是电子。因此,电子开始从n型发射极流向p型碱基。由于电子的作用,电流会从发射端-基极结流动。这当前的称为发射极电流IE.
这些电子向碱的方向移动。底座是p型半导体。因此,它有洞。但是基区很薄,掺杂很少。所以它有几个空穴可以和电子重新结合。因此,大多数电子将通过基极区,少数将与空穴重新结合。
由于重组,电流将流过电路,并且该电流称为基极电流IB.基极电流与发射极电流相比非常小。通常,它是总发射极电流的2-5%。
大多数电子通过集电极-基结的耗尽区并通过集电极区。流过剩余电子的电流称为集电极电流IC.集电极电流比基极电流大。
NPN型晶体管电路
NPN晶体管的电路如下图所示。
电压源按上图所示连接到NPN晶体管。集电极与电源电压V的正极相连CC负载电阻Rl.负载电阻也用于减少通过该设备的最大电流。
所述基极连接到基极电源电压V的正极B带基极电阻RB.基极电阻用于限制最大基极电流。
当晶体管接通时,一个大的集电极电流流过集电极和发射极之间的器件。但是,对于那少量的基极电流必须流入晶体管的基极端。
通过KCL,发射极电流是基极电流和集电极电流的相加。
晶体管工作方式
晶体管在不同的模式或区域上工作,这取决于结的偏置。它有三种操作模式。
- 截止模式
- 饱和状态
- 主动模式
截止模式
在关断模式下,两个结都处于反向偏置。在这种模式下,晶体管表现为开路。它不允许电流流过设备。
饱和状态
在晶体管的饱和模式下,两个结都以正偏相连接。当基极-发射极电压高时,晶体管表现为一个闭合电路,电流从集电极流向发射极。
主动模式
在该模式的晶体管的情况下,基极发射器结是正向偏置和集电极基结是反向偏置的。在此模式下,晶体管用作电流放大器。
在发射极和集电极之间的电流和电流的量与基极电流成正比。
NPN型晶体管开关
晶体管以饱和模式开启,并在截止模式下关闭。
当两个结都在正向偏置条件下连接,并且给输入电压足够的电压。在这种情况下,集电极-发射极电压接近于零,晶体管作为一个短路工作。
在这种情况下,电流将开始在集电极和发射极之间流动。电路中流过的电流的值是,
当两个结都反向偏置连接时,晶体管表现为开路或断开开关。在这种情况下,输入电压或基电压为零。
因此,整个Vcc电压出现在集电极上。但是,由于集电极-发射极区域的反向偏置,电流不能通过器件。因此,它表现为一个OFF开关。
晶体管在截止区域的电路图如下图所示。
NPN型晶体管引出线
晶体管有三个引线;集电极(C),发射极(E)和基极(B)。在大多数配置中,中间引线用于基极。
为了识别发射极和集电极引脚,SMD晶体管表面上有一个点。在这个点的正下方的引脚是一个集电极,其余的引脚是发射极引脚。
如果点不存在,所有的引脚将被放置在不均匀的空间。这里的中间销是底座。中间引脚最接近的引脚是发射极,其余的引脚是集电极引脚。
NPN和PNP晶体管
下表总结了NPN晶体管与PNP晶体管的主要区别:
NPN型晶体管 | PNP型晶体管 | |
结构 | 它有两个n型和一个p型半导体。 | 它有一个n型和两个p型半导体。 |
电流方向 | 电流将通过集电极流到发射极。 | 电流将通过发射极流至集电极。 |
多数电荷载体 | 电子 | 孔 |
少数电荷载体 | 孔 | 电子 |
开关时间 | 快 | 慢 |
结偏压 | 发射极-基极是正向偏置,集电极-基极是反向偏置。 | 发射极限结处于反向偏置,收集器底座连接处于向前偏置。 |
象征 | ||
Collector-emitter电压 | 积极的 | 负 |
发射器箭头 | 指出 | 指出在 |