到目前为止讨论的逻辑系列是通常用于实现离散逻辑功能的逻辑系列，例如逻辑门那人字拖，柜台，多路复用器那多路分解器在属于小规模集成（SSI）和中型集成（MSI）的内部电路复杂度的相对较少的复杂数字IC中。
这TTL.，CMOS和ECL逻辑系列不适合实现具有大规模集成（LSI）的内部电路复杂性和上述的数字IC。LSI类数字IC的竞争对手是PMOS.， 这纳米和集成的注射逻辑（I2L）。本节简要讨论了前两个。
PMOS逻辑
这PMOS逻辑家族使用P沟道MOSFET。图（a）显示了使用PMOS逻辑的逆变器电路（不与a混淆电源逆变器）。MOSFET问：1充当活跃的负荷Mosfet.开关Q.2。对于所示的电路，
GND和-V.DD.为正逻辑系统分别表示逻辑'1'和逻辑'0'。当输入接地时（即逻辑'1'），q2截止截止和-VDD.通过导通Q出现在输出处1。当输入处于-V时DD.或接近-v.DD.，问：2进行和输出到零零电位（即逻辑'1'）。图（b）显示了基于PMOS逻辑的两输入也不是门。在图（b）的逻辑布置中，输出仅在Q时才能进入逻辑'1'状态（即地电位）1问：2正在进行中。
只有在两个输入处于逻辑'0'状态时，才有可能。对于所有其他可能的输入组合，输出处于逻辑'0'状态，因为Q1或Q.2非导电，输出接近-VDD.通过导电Q3.。图2的电路。（b）因此表现在正逻辑中的两个输入或门。
这里可以提到它Mosfet.用作负载[Q1在图1中（a）和q3.在图1中。（b）]设计成具有on-抵抗性这大得多于用作开关的MOSFET的总电阻[Q2在图1中（a）和q1问：2在图（b）]中]。
NMOS逻辑
NMOS逻辑系列使用N沟道MOSFET。N沟道MOS器件需要较小的芯片区域晶体管与P沟道设备相比，结果NMOS Logic提供更高的密度。也是由于较大的流动性电荷运营商.在N沟道设备中，NMOS逻辑系列也提供更高的速度。
正是由于这个原因，大多数MOS存储器设备和微处理器采用NMOS逻辑或其诸如VMOS，DMOS和HMOS的一些变化。VMOS，DMOS和HMO仅是NMOS的结构变体，旨在进一步降低传播延迟。图（a），（b）和（c）分别显示逆变器，两输入和两个输入NAND使用NMOS逻辑。逻辑电路是不言自明的。
