JFET的类型|n频道JFET |P频道JFET.

结场效果晶体管（JFETS）是一种FET（高输入阻抗装置），其具有三个端子，即源极，栅极（G）和漏极（D）。这些设备也称为电压控制设备电压在栅极终端处施加地确定在漏极和源极端子之间流动的电流量。FET分别可以由PN或肖特基结组成，因为它们分别被称为PN JFET或金属半导体FET（MESFET）。此外，PN JFET可以分为两种类型的viz。（i）n沟道JFET（ii）P频道JFET，取决于是否是当前的流动分别是由于电子或孔。

n沟道JFET

N沟道JFET的示意图以及其电路符号如图1所示。从图1A所​​示的分层结构中，显然N沟道JFET具有其主要部分n型半导体。来自源极和漏极端子的该散装材料的相互相对的两个面。此外，还可以看出，嵌入到该基板中存在两个相对较小的P底座，该基板在内部连接在一起以形成栅极端子。因此，这里，源极和漏极端子是n型，而栅极是p型。由于这个，两个PN交汇处将在设备内部形成，其分析显示JFET工作的模式。此外，图1B所示的电路符号具有指向其栅极端子的装置的箭头，该栅极端子指示电流将流动的方向，只要PN结正常偏置。

N频道JFET的工作

在N沟道JFET中，大多数电荷载流子将是电子作为在源之间形成的通道的电子，并且漏极是n型。此外，这些装置的工作取决于在其终端处施加的电压（图2）。

案例我：考虑到没有的情况电压应用于设备i.e.v_DS.= 0和v_GS.= 0。在这个状态下，设备将是空闲的，没有当前的流过它。我_DS.= 0。
案例II：现在考虑该装置的漏极端子连接到电池的正极端子，而其负连接到源I.V_DS.= + ve。然而，让栅极端子保持不偏的状态，这意味着V._GS.= 0.在该瞬间，器件的N基板内的电子开始朝向漏极移动被施加的积极的力电池。同时，当电源连接到负端子时，电子也将从源中排斥。这导致从漏极到源极（根据传统方向的电流的净流动，其值仅受通道提供给它的电阻。
此外，可以看出v的增加_DS.以初始状态提高流过设备的电流，该初始状态可以被称为JFET的欧姆区域。但是，要注意到V的增加_DS.还导致PN结周围的耗尽区域的宽度增加。这意味着导致通道宽度减少，从而增加其抵抗性。这种现象持续到两种耗尽区长度增加到一定程度上，其中几乎似乎彼此接触，条件称为夹出来。相应的V值_DS.被称为夹紧电压，V_P.。然而，即使在这种情况下，在设备内也存在具有高电流密度的窄通道，因为它的IDS将被饱和到I的水平_DSS.如图2所示。这是这种行为JFET.这导致它表现为恒定电流源。
案例III：接下来，对于案例II中描述的设置，让我们添加电压源在栅极端子处使得门是负的w.r.t源等。V_GS.= v v_DS.是+ ve。在这种情况下，设备的行为非常类似于在案例II中的方式，但对于较低的V值_DS.。这意味着捏 - 关闭和饱和度更早地发生，并且由栅极的负电位决定，即更负载V._GS.，早些时候捏关，因为之前将是饱和度，还原我_DSS.（图3）。
随着该现象的继续，可以看出，漏极 - 源电流I1的饱和水平出现的条件发生，右移为0 mA。这意味着没有当前的流过设备，基本上设备将关闭。v的价值_DS.发生这种情况，这将是只不过是负捏 - 关闭电压.V_DS.= -V._P.。

P频道JFET

这P频道JFET（图4A）展示了与其对零部位相似的工作模式n沟道JFET除了几个差异。如果是P频道JFET，由装置制成的主要部分由p型制成，嵌入到两个小n型区域。因此它具有n型栅极端子和p型源和漏极，使通道成为p型，其中孔将是大多数电荷运营商.。接下来，在其电路符号中的箭头的方向在N沟道JFET的情况下向外指向（图4B）。

P频道JFET的工作

类似于N沟道JFET的情况，这些器件的工作也取决于电压在其终端应用（图5）。

案例我：如果V._DS.= 0和v_GS.= 0，设备将空闲，没有电流即i. i_DS.= 0。
案例II：现在考虑V._DS.v v v_GS.在这种状态下，当P衬底内的孔在从源中排斥时，电流从源流到漏极（根据传统方向）流向漏极（根据常规方向）。该电流的值仅受通道电阻限制，并且被视为随着V的减少而增加_DS.（欧姆地区）。然而，一旦发生捏（v_DS.= V._P.）， 这当前的一世_DS.在特定的水平饱和_DSS.，在此期间，该设备类似于恒定电流源（图6）。
案例III：接下来，让V_GS.= + v v v_DS.是-ve。在这里，展示的效果类似于II的效果，其中饱和度以更快的速率发生的事实_GS.变得越来越积极。类似于所见N沟道JFETS，即使在这里，目前也停止了v的价值_DS.变得等于v_P.，将设备转换为关闭状态。