场效应晶体管代表m等等O.希德S.emiradion.F我E.这个效果T.ransistor。MOSFET是电容器操作的晶体管装置。电容器扮演操作A的基本作用场效应晶体管．我们也称这个设备为绝缘栅场效应晶体管（IGFET.)或金属绝缘体场效应晶体管（MIFET）。为什么我们打电话，所以当我们研究这个晶体管装置的结构特征时，我们会理解。我们必须看看MOSFET的建设MOSFET的工作原理．从构造上讲，我们可以将设备分为四种类型。
- P - 通道增强MOSFET
- n - 通道增强MOSFET
- P - 通道耗尽MOSFET
- N - 通道耗尽MOSFET
P - 通道增强MOSFET
我们也称P沟道MOSFET.作为PMOS.．在这里，轻掺杂n型半导体的衬底形成了器件的主体。为此我们通常使用硅或砷化镓半导体材料。两个重掺杂的p型区域在体内以一定的距离L分开，我们称这个距离L为频道长度并且它是1μm的顺序。
现在有一层薄的二氧化硅（SiO2)在基材的顶部。我们也可以用Al2O.3.但是SiO2是最常见的。衬底上的这一层表现为电介质。有一个铝板安装在这个硅的顶部2介电层。
现在铝板，电介质和半导体衬底在装置上形成电容器。
连接到两个p型区域的端子分别是器件的源极(S)和漏极(D)。从电容器的铝板上投射出来的端子是器件的栅极(G)。我们还将mosfet的源体与地连接，以方便在mosfet运行期间按照要求提供和提取自由电子。
现在让我们在栅极(G)施加一个负电压。这将在电容器的铝板上产生负的静态电位。由于电容作用，正电荷在介电层下面积聚。
基本上，N型衬底的该部分的自由电子由于负栅极板的排斥而被移开，因此在此出现未覆盖的正离子层。现在，如果我们进一步增加栅极端子处的负电压，在特定电压称为阈值电压之后，由于静电力，在SIO下方的晶体的共价键2层开始打破。因此，电子-空穴对就产生了。由于栅极的负性，空穴被吸引，自由电子被抵消。这样，孔洞的浓度就会增加，形成一个孔洞从源到漏的通道。空穴也来自重掺杂的p型源极和漏极区域。由于通道中孔的集中，通道在性质上变得具有导电性，电流可以通过这个通道。
现在让我们在漏极端子处施加负电压。漏极区域中的负电压降低了栅极和漏极之间的电压差，结果减小，结果，导电通道的宽度降低到漏极区域，如下所示。同时，电流从源流到箭头所示的漏极。
MOSFET中创建的频道提供对来自源电流的电流耗尽。这电阻通道取决于通道的横截面，并且通道的横截面再次取决于所施加的负栅极电压。因此，我们可以通过施加的栅极电压的帮助控制来自源的电流以耗尽，因此MOSFET是电压控制的电子设备。由于孔的浓度形成通道，并且由于负栅极电压的增加，通过通道的电流得到增强，我们将MOSFET命名为P - 通道增强MOSFET。
n - 通道增强MOSFET
N通道增强MOSFET的工作原理与P通道增强MOSFET相似，但两者只是在操作和结构上有所不同。在N通道增强MOSFET中，轻掺杂p型衬底形成器件体，源极和漏极区域重掺杂N型杂质。这里我们也通常将体和源与地电势连接起来。现在，我们给栅极端加一个正电压。由于栅极的正电荷和相应的电容效应，自由电子即p型衬底的少数载流子被吸引到栅极上，通过与空穴重新结合，在介电层的正下方形成一层负的裸露离子。如果我们不断增加正栅电压，在阈值电压水平之后，重新组合过程达到饱和，然后自由电子开始在这个地方积累，形成一个自由电子的导电通道。自由电子也来自重掺杂的源漏n型区。现在如果我们在漏极处施加正电压，电流就开始流过通道。通道的电阻取决于通道中自由电子的数量，而通道中自由电子的数量又取决于器件的门电势。由于自由电子的浓度形成通道，而通过通道的电流由于栅极电压的增加而增强，我们将这种MOSFET命名为N通道增强MOSFET。
N - 通道耗尽MOSFET
这耗尽型MOSFET的工作原理与增强MOSFET有点不同。N - 通道耗尽MOSFET基板（主体）是P型半导体．源极和漏极区域是重掺杂的n型半导体．源区和漏区之间的空间由N型杂质扩散。现在，如果我们在源极和漏极之间施加电位差，则电流开始流过基板的整个N区域。
现在，让我们在栅极端施加一个负电压。由于电容效应，在SiO下方的n区，自由电子被撤销并向下移动2介电层。结果，在SIO下将存在阳性未覆盖的离子层2介电层。这样，通道中载流子就会耗尽，因此通道的整体电导率就会降低。在这种情况下，对漏极施加相同的电压，漏极电流会减小。这里我们已经看到，我们可以控制漏极电流通过改变损耗载流子在沟道，因此我们称它为损耗MOSFET。这里，漏极处于正电位，栅极处于负电位，源极处于零电位。因此漏极与栅极之间的电压差大于源极与栅极之间的电压差，因此耗尽层向漏极的宽度大于向源极的宽度。
P - 通道耗尽MOSFET
CoTRuceWiene A P沟道耗尽MOSFET与N通道耗尽MOSFET相反。这里，预设通道由掺杂P型源极和漏区之间的p型杂质制成。当我们在栅极端子处施加正电压时，由于静电动作，少数载体I.E.P型区域的自由电子被吸引并在那里形成静态负杂质离子。因此，在通道中形成耗尽区域，因此，通道的电导率降低。以这种方式，通过在栅极下施加正电压，我们可以控制漏极电流。
