Mosfets.是三端，单极，电压控制，高输入阻抗器件，构成各种电子电路的组成部分。这些设备可以分为两种类型，即耗尽型和增强型，这取决于它们是否拥有默认状态下的通道。此外，它们可以是p沟道器件，也可以是n沟道器件，因为它们可以分别由空穴或电子产生导电电流。尽管它们的结构不同，但它们都是基于一个共同的基本原则来工作的，本文对此进行了详细的解释。MOSFET及其工作“。这进一步意味着它们所有的所有特征曲线都表现出几乎相似的特征曲线，而是用于不同的电压值。
通常，任何MOSFET都被视为展示了三个操作区域viz。
- 截止地区
截止区域是其中MOSFET将关闭的区域，因为没有当前的流经它。在这个区域，MOSFET的行为就像一个打开的开关，因此当它们需要作为电子开关时使用。 - 欧姆或线性区域
欧姆或线性区域是当前I中的区域DS.随着V值的增加而增加DS.．当MOSFET在该区域中操作时，它们可以用作放大器。 - 饱和区域
在饱和区，mosfet具有IDS.v的不断增加DS.并发生一次vDS.超过捏 - 关闭的值电压V.P.．在这种情况下，设备将充当闭合开关，通过该开关，饱和值DS.流。因此，无论何时需要mosfet执行开关操作，都会选择该操作区域。
知道了这一点，现在让我们分析每种MOSFET在这些区域所经历的偏置条件。
n沟道增强型MOSFET
图1a显示了传输特性(漏源极电流IDS.与栅极到源极电压vGS.)N沟道增强型MOSFET．由此可见，通过装置的电流在V之前都是零GS.超过阈值电压V的值T.．这是因为在这种状态下，该设备将是频道的空隙，该通道将是连接漏极和源极端子的通道。在这种情况下，甚至增加了vDS.将导致当前流量没有，如相应的输出特征所示（iDS.和VDS.)如图1b所示。因此，这种状态仅仅代表了MOSFET工作的截止区域。
接下来，一旦vGS.十字架V.T.，通过装置的电流随着I的增加而增加DS.最初(欧姆区)，然后饱和到由V决定的值GS.(饱和运行区域)即VGS.增加，甚至流过设备的饱和电流也会增加。这一点在图1b中很明显DSS2比我大DSS1.随着VGS2.> V.GS1.,我DSS3比我大DSS2随着VGS3.> V.GS2.等等。图1b还给出了掐断电压的轨迹(黑色不连续曲线)，由此得出VP.被认为随着v的增加而增加GS.．
p沟道增强型MOSFET
图2a显示了传输特性p型增强场效电晶体从中很明显，我DS.保持零（截止状态）直接vGS.变得等于-VT.．这是因为，只有那么才能形成通道以将设备的漏极端子与其源极端终端连接。在此之后，我DS.被视为反向增加（意味着我的增加SD.，表示将从源流到排水的设备电流的增加，随着V的值的减小DS.．这意味着该装置在其欧姆区域中运行，其中通过器件的电流随着施加电压的增加而增加（这将是V.SD.）。
然而作为V.DS.变得等于-VP.时，器件进入饱和状态，此时饱和电流(IDSS)流经装置，由V的值决定GS.．此外，需要注意的是，饱和电流的值通过设备被视为增加的VGS.变得越来越消极。对于v的饱和电流GS3.比V的大GS2.在V的情况下GS4.与它们都大得多GS3.比v更负GS2.而VGS4.与其中中的任何一个相比，更负面（图2b）。此外，从夹紧截止电压的轨迹，它也明确表示为V.GS.变得越来越负，甚至是V的负P.也增加了。
N沟道耗尽型MOSFET
转移特征N沟道耗尽MOSFET图3A所示，表明该设备的电流也流过它，即使vGS.是0V。这表明这些器件即使当门终端被留下不偏不倚而导致的，这是由V进一步强调的GS0.图3B的曲线。在这种情况下，通过MOSFET的电流随着V的值的增加而增加DS.（欧姆地区）取消诉DS.等于掐断电压VP.．在此之后，我DS.会饱和到特定的I级吗DSS（饱和区域的操作区域）随着v的增加而增加GS.也就是说,我DSS3> I.DSS2> I.DSS1.，如五GS3.> V.GS2.> V.GS1.．此外，掐断电压的轨迹也表明VP.随着V的增加而增加GS.．
然而，应该注意的是，如果需要在截止状态下操作这些设备，则需要制作vGS.一旦它等于-VT.时，通过装置的传导停止(IDS.= 0）因为它被剥夺了其n型通道（图3a）。
p沟道耗尽型MOSFET
转移特征p沟道耗尽模式mosfet（图4A）表明这些装置通常是在缺失的情况下进行的，因此即使在没有v的情况下也会进行GS.．这是因为它们的特征是在它们的默认状态中存在一个通道，因此它们具有非零IDS.V的GS.= 0V，由V表示GS0.图4b的曲线。虽然这种电流的值随着V的增加而增加DS.最初(欧姆区工作)，它看到饱和一次的VDS.超过V.P.（操作饱和区域）。该饱和电流的值由V确定GS.，并且被视为负方向随vGS.变得越来越消极。例如，V的饱和电流GS3.比V的大GS2.与V相比，哪个更大GS1.．这是因为vGS2.与v相比，更负面GS1.和V.GS3.与其中任何一个相比，更负面。接下来，人们还可以注意甚至v的夹紧点的基因座P.开始变得越来越消极，就像和V相关的消极GS.增加。
最后，从图4a中可以明显看出，为了将这些设备关闭，需要增加VGS.这样它变得等于或大于阈值电压V的T.．这是因为，当这样做时，这些器件将被剥夺他们的p型通道，这进一步驱动mosfet进入他们的工作截止区域。
上表提供的解释可以以下表的形式总结
| 一种场效应晶体管 | 运营地区 | ||
| 截止 | 欧姆/线性 | 饱和 | |
| n沟道增强型 | V.GS.< VT. | V.GS.> V.T.和VDS.< VP. | V.GS.> V.T.和VDS.> V.P. |
| P沟道增强型 | V.GS.> -V.T. | V.GS.<-vT.和VDS.> -V.P. | V.GS.<-vT.和VDS.<-vP. |
| n沟道耗尽型 | V.GS.<-vT. | V.GS.> -V.T.和VDS.< VP. | V.GS.> -V.T.和VDS.> V.P. |
| p沟道耗尽型 | V.GS.> V.T. | V.GS.< VT.和VDS.> -V.P. | V.GS.< VT.和VDS.<-vP. |
