结型场效应晶体管是场效应晶体管家族中的一种半导体器件。场效应晶体管是一种晶体管，它是由施加在器件结上的电场操作的。场效应晶体管主要有两种类型。结场效应晶体管或JFET和金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET。本文将在此讨论结场效应晶体管。
JFET是一种电压控制装置，而BJT是一种电流控制装置。通过JFET的电流是由多数载流子产生的，而在BJT中电流是由多数载流子和少数载流子产生的。由于jet中只有大多数载流子参与电流的创造，因此它是单极器件。JFET的输入阻抗非常高。
类型的JFET
JFET有n信道和p信道两种类型。
N通道JFET
n通道JFET由硅或砷化镓棒组成。棒中掺杂了n型杂质。一个金属端子分别连接在杆的两端。其中一个端子称为漏极端子，另一个称为源极端子。棒子的两边都被高度掺杂p型杂质。掺杂p型杂质的区域称为门区。一个金属端子连接到栅区，该端子称为栅端。
P通道JFET
同样，p通道JFET是由掺有p型杂质的Si或GaAs棒制成的。棒子的侧面高度掺杂n型杂质。这里也有漏极，和源端连接到杆的两端。附在侧n型区域上的端为栅端。
注:-在这两种结型场效应晶体管中，漏极和源端都可以互换。
如果在漏极和源极端子之间施加电压，则电流开始流过设备。两个相对掺杂区域之间的空间被称为装置的通道。由于多数载流子的漂移而流过通道的电流。多数载波通过终端进入通道被称为源终端，多数载波离开信道的终端称为漏极终端。
在正常工作条件下，n通道JFET的漏极施加正电位，p通道JFET的漏极施加负电位。在JFET中保持栅极电压，使得栅极区域和通道之间的PN结处于反向偏置状态。这种PN结耗尽层的宽度可以通过改变栅端电压来改变。通道的开度取决于耗尽层的宽度。
如果改变栅端电压，耗尽层的宽度增加，耗尽层延伸到通道内，减少了通道的开度，从而减少了通过通道的电流。因此，我们可以得出结论，通过控制栅极电压可以控制漏极电流。根据JFET的典型特性，我们可以将这个JFET用于许多不同的电子应用。JFET可用作开关、放大器等。
JFET的属性
- 这是一个电压控制装置，因为通过通道的电流被栅极电压控制。换句话说，跨越结的电场影响了晶体管的操作，这就是它被命名为结场效应晶体管的原因。
- 在正常工作条件下，输入栅极区域和通道之间的结保持反向偏置，晶体管的输入阻抗是高的。
- 理想情况下，JFET中没有栅极电流。
- 多数载体仅贡献通过设备中的通道的电流，即N个通道中的空闲电子和P信道中的孔，并且这些是晶体管称为单极设备的原因。
