可控硅或可控硅的栅极特性gydF4y2Ba

可控硅或可控硅的栅特性gydF4y2Ba给出了在应用门的安全区域内操作的简单思路gydF4y2Ba电压gydF4y2Ba和gydF4y2Ba当前的gydF4y2Ba．这是一个非常重要的特征gydF4y2Ba晶闸管gydF4y2Ba．在制造每一个可控硅或可控硅时，都规定了最大栅极电压限制(VgydF4y2Ba_{g-maxgydF4y2Ba})、门极电流限制(IgydF4y2Ba_{g-maxgydF4y2Ba})和最大平均门功耗限制(PgydF4y2Ba_gavgydF4y2Ba)．这些限制不应该超过以保护可控硅从损害和有一个指定的最小电压(VgydF4y2Ba_{g-mingydF4y2Ba})和最小电流(IgydF4y2Ba_{g-mingydF4y2Ba})，以正确操作晶闸管。gydF4y2Ba

一种栅极非触发电压(VgydF4y2Ba_nggydF4y2Ba)也在该设备的制造时提到。gydF4y2Ba

所有的噪声和不需要的信号都应该在这个电压下，以避免晶闸管不需要的开启。gydF4y2Ba

曲线1代表最低的电压值，必须应用于打开可控硅和曲线2代表的最高值gydF4y2Ba电压gydF4y2Ba这是很安全的。所以从图中可以看出SCR的安全操作区域为bcdefghb。gydF4y2Ba
现在，从触发电路，我们得到，gydF4y2Ba

在那里,gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}栅源电压gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba栅阴极电压gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba_ggydF4y2Ba=门当前gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}栅源电阻gydF4y2Ba

栅极电源电压的负载线画为AD，其中OA = EgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}和OD = EgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}/ RgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}即触发电路短路电流。现在，让门电路的VI特性由曲线3给出。负荷线(AD)与曲线3的交点称为工作点S。很明显，S必须位于S之间gydF4y2Ba_1gydF4y2Ba和SgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba在载重线上。为减少开启时间，避免设备不必要的开启，工作点应尽量靠近PgydF4y2Ba_gavgydF4y2Ba越好。AD的斜率=源电阻RgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}．最小R量gydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}可以通过画一条与P相切的线来确定gydF4y2Ba_gavgydF4y2Ba解析:选A。gydF4y2Ba