硅的能量带

硅是A.半导体自由电子数量小于的材料导体但超过了绝缘子。对于具有这种独特的特性，硅具有广泛的应用领域。有两种硅中的能量带这是传导带和价带。具有价电子的一系列能级形成固体中的帷幔带。在绝对0.^O.K温度填充了价带的能量水平。当电子在价带中时，该频段包含最大能量量，因此由于这种电子导致的电流流动。
传导频带是较高的能量频带，其是最小的能量。该频带由电子被称为自由电子的电子部分填充，因为它们可以在固体中的任何位置移动。这些电子负责当前的流动。导通带和价带之间的能量间隙。这种能量差异被称为禁止的能隙。该间隙决定了固体的性质。

固体是否是金属，绝缘体或半导体的本质上，该事实由禁止能隙的量决定。部分地没有金属和巨大差距绝缘体。为了半导体，差距既没有大，也不重叠频段。硅的禁止差距为1.2eV^O.k温度。
我们知道，在硅晶体中，存在共价键。硅是电中性的。当电子突破其共价键时，在其后面产生一个孔。随着温度升高，越来越多的电子跳进导管，在价带中产生更多孔。

硅的能带图

硅的能带图显示了材料中电子的能量水平。在内在硅中，费米水平位于间隙的中间。当内在硅掺杂有供体原子时，它变为n型，然后Fermi水平移动得更高，即更接近导带。当固有硅掺杂受体原子时，它变为p型，并且费米水平向倾向乐队移动。

内在硅的能带图

外在硅的能带图