二极管电流方程表达了这些关系当前的流经二极管作为一个函数电压应用于它。在数学上，它被给予
在哪里，
我是流经的目前二极管
一世0.是黑暗饱和电流，
Q是电子上的电荷，
v是电压应用于二极管，
η是（指数）理想因素。
是boltzmann常数
T是Kelvin的绝对温度。
在该等方程中，两个参数需要详细讨论。他们是
一世0.，黑暗饱和电流
暗饱和电流表示在没有光的情况下流过二极管的漏电流密度（因此，'黑暗'）。此参数是的二极管正在考虑并表明其内部发生的重组量。那是，我0.对于二极管来说，重组率更高，反之亦然将更大。此外，其值也被视为与绝对温度成正比，与材料质量成反比。
η，（指数）理想因素
理想因素表示所考虑的二极管相对于的近似性理想的二极管。也就是说，如果所考虑的二极管的表现得完全正如理想二极管的那样，那么η将是1。它的值从1增加到所考虑的理想二极管和二极管的行为之间的差异增加：更大是偏差，更大是η的值。
对于锗二极管和2，通常认为η的值通常被认为是晶锗二极管。然而，其对给定二极管的确切值取决于电子漂移等各种因素，扩散，载体重组，其发生在耗尽区内，其掺杂水平，制造技术和其材料的纯度。此外，它的价值也有所不同当前的和电压水平。然而，在大多数情况下，发现其值在1到2的范围内。
在前向偏见条件下，将有大量的电流流过二极管。就这样二极管电流方程（等式1）变成
另一方面，如果二极管反向偏置，则等式（1）中的指数术语变得可忽略不计。因此我们有
现在让我们检查模式二极管电流方程当我们在室温下运行二极管时，采用其形式。在这种情况下，T = 300 k，也是，和
。因此
通过往复运动，可以获得25.87 mV，称为热电压。就这样二极管室温下的等式变为
