共发射极放大器

晶体管根据输入和输出端口之间的公共终端是基座、集电极还是发射极，可以以三种不同的方式配置，并相应地命名为公共基座、公共集电极和公共发射极。进一步,通过选择一个合适的偏置点,一个可能使设备适合放大或切换即晶体管电路之间使操作时切断和饱和区域将适合用作开关操作而作为放大器时的活跃区域。

此外，需要记住的是，晶体管本质上只是电流控制的器件，其中基极的微小变化当前的,我_B导致集电极电流I有很大的变化_C．

图1显示了一个简单的共发射极电路npn型晶体管谁的

• 集电极端子(输出端子)连接到电源电压V_CC通过集电极电阻R_C．
• 底座端有需要放大的交流信号。
• 发射极端子接地(因此也称为接地发射极配置)。

在这种排列方式下，作为输入电压V_我增加时，基电流I_B也增加，这反过来增加集电极电流I_C．

这导致了电压降通过集电极电阻R_C导致输出电压V下降₀如下面的关系所强调

同样地，当输入电压继续降低时，I_B因此我_C减小，因此在R上的电压降_C因此也降低了输出电压。这说明对于输入波形的正半周，负半周放大，而对于输入脉冲的负半周，输出是正脉冲放大。因此存在180的相移^o在输入和输出波形之间共发射极放大器它也被称为反相放大器．

然而，为了获得输入波形的不失真放大版本，除了忠实的放大，晶体管需要通过设置一个合适的工作点(q点)来适当偏压。这表明，实际上人们必须求助于一个稳定的网络(图2)，它将抵抗温度和其他晶体管参数的变化。

在图2所示的电路中电阻R₁和R₂用于为晶体管的基极提供偏压(分压器晶体管的偏置)，发射极电阻R_E通过调节直流反馈量来确保电路保持适当的直流条件。此外，该电路还使用电容C_我和C_o也就是解耦电容器用于在放大级之间提供交流耦合。这些值功放所选择的电抗在运行频率下可忽略不计。特别是输入电容C的值_我应该选择等于电阻在输入电路的最低频率，使其在这个频率上产生-3dB的下降。此外，输出电容C的值_o它的选择使之等于最低工作频率下的电路电阻。
进一步，发射极电压V_E被选为电源电压V_CC确保良好的直流稳定性和通过R的电流₁这是我₁选择为所需基极电流的10倍。这里需要注意的是，即使是我₂几乎等于基极电流I的值_B将是微不足道的。发射极旁路电容C_E当加入电路时，通过短路发射极电阻R来显著增加其增益_E对于高频信号，这导致晶体管整体负载的降低。这个C的值_E是这样选择的吗电容器提供等于1/10的电抗值^thR的_E最低工作频率。
了解了共发射极放大器的设计策略后，对其电流增益和电压增益的数学表达式有兴趣

这些共发射极放大器是最广泛的使用，例如作为低噪声放大器和射频放大器，因为他们提供中等的输入电阻，中等的输出电阻中电压增益、中电流增益和高功率增益。