有两种类型的结场效果晶体管。
n频道JFET.
P频道JFET.
让我们逐个讨论n个通道和P信道晶体管的特性，以便更好地理解。
N频道JFET的特征
我们知道N个通道JFET中存在N型半导体材料的通道。N通道JFET的栅极区域是高度掺杂的p型区域。在漏极和源极端子之间施加电压。首先，让我们将漏极的值绘制到不同施加的漏极电流的源电流到源电压。在第一种情况下，我们将与源极端终端短路栅极端子并通常接地。现在我们将慢慢增加漏极电路电压V.DD.从零。
当通道具有电阻时，排水管源电流或简单地说出漏极电流随线增加。但这种阻力在特征的那个地区并不完全恒定。当N个通道的电压相对于零电位栅极区域是阳性的，栅极到通道PN结的栅极将处于反向偏置状态。结果，沿着结沿偏向偏置偏差层。该耗尽层的典型性是它对漏极端子具有更多的宽度。由于沿着通道的电压分布，接线部分的部分更靠近排出的压力更多。随着漏极电压的增加，朝向漏极端子的耗尽层比朝向源极端末端的速度更厚。随着耗尽层的宽度增加并且因此信道开度降低，通道的电阻增加。电阻的升高在较高的漏极电位下更突出，因此沿漏极电流汲取的特征曲线沿沿漏极到源极电压轴沿水平轴装置逐渐对准。
在一定的排水电压之后，倒掉朝向漏极端子彼此接触。此时，曲线非常近水平。在该漏极电压下，耗尽层不完全触摸阻挡通道，而是在层之间存在窄开口，漏极电流继续流动。如果我们进一步增加漏极电压，则耗尽层将尝试进一步增加其厚度，而是不能彼此接触，而是朝向源极端的耗尽层越封闭并增加窄通道开口的有效长度。这种现象称为信道调制。由于这种现象，通道的有效电阻增加了，并且增量几乎与漏极电压的增量成比例。结果，漏极电流变为几乎恒定。排出源电压曲线的漏极电流得到其水平部分。漏极电流变为几乎恒定的电压被称为夹紧电压。当Get终端处于接地电位时，挤压电压的漏极电流在接地电位时表示为iDSS.并且已知短路栅极排水电流。现在，如果我们继续在漏极源电压的一定值后增加漏极电压，耗尽层会破碎，漏极电流突然升高。该特征的该区域称为击穿区域。当漏极电流随着漏极的增加而增加时，曲线的部分被称为线性区域或欧姆区域，并且当漏极电流保持几乎恒定时，曲线的部分被称为恒流或有源区域。
现在我们将从接地源端子打开门端子，并在门终端上施加某些负电压。在这种情况下，栅极区域和通道之间的连接变得更快地反向偏置，因此对于与源极电压相同的漏极的漏极电流变低。耗尽电流和漏极到施加负栅电压的源电压的整个曲线，在零栅极电压曲线下方移位。如果我们在门端子处应用更多的负电压，则曲线将更多地向下移动，如下面的n个通道JFET的特性图所示
N通道JFET的传输特性
通过在夹紧截止电压下保持漏极到源电压来在栅极电压和漏电流之间绘制传递特性。当栅极处于零电位时，流过晶体管的最大漏极电流短路栅极漏极电流（IDSS.）。现在，由于栅极的负电位增加，相应的漏极电流降低。在某个负栅极电压之后，漏极电流变为零。该负栅极端子电压在该负栅极端子电压为施加的漏极电压为零，施加的漏极电压与夹紧电压相同的源极电压被称为栅极截止电压Vgs（关闭）。
P信道JFET的特征
在P沟道JFET中，我们在排水终端应用负电位。如果我们使接地源和门终端接地并从零增加漏极的负电位，我们将获得与N通道JFET的情况相同的曲线。这里，在开始时，由于沿相同方向的孔漂移而从源流过漏流的漏极电流，随着负漏电压的增加而导致线性地增加。由于通道的负电位更加朝向排水末端，因此更靠近排水的交界处的反向偏置。这使得较厚的耗尽层朝向排水末端。因此，就像之前的情况一样，在某些负漏极电压之后发生捏断，并且曲线变为水平。如果我们继续增加负漏电压，在某个负漏极电压之后，耗尽层通过雪崩击穿，并且通道没有任何进一步的阻塞，漏极电流突然上升到更高的值。因此，曲线在开始时具有线性区域，最后在中间和击穿区域中的有源区。现在，如果我们在栅极端子处施加正电压，则交叉点的反向偏置变得更快，结果，如下所示，特性曲线向下移动。
P信道JFET的传递特性
这是在正栅极电压和漏极电流之间绘制的。图案与N通道JFET的情况相同，但施加电压和漏极电流的方向的极性不同。
